Tranzystory 3D z Intela

Inżynierowie z laboratoriów Intela opracowali trójwymiarowy, "trójbramkowy" tranzystor, osiagający wiekszą wydajnosc przy bardziej ekonomicznym zużyciu energii niż tradycyjne tranzystory planarne (płaskie). Osiagnięcie to stanowi zapowiedź nowej ery tranzystorów o budowie przestrzennej, których wykorzystanie bedzie konieczne w przyszłej dekadzie dla utrzymania wyznaczonego przez prawo Moore'a tempa rozwoju mikroelektroniki.

Inżynierowie z laboratoriów Intela opracowali trójwymiarowy, "trójbramkowy" tranzystor, osiagający wiekszą wydajnosc przy bardziej ekonomicznym zużyciu energii niż tradycyjne tranzystory planarne (płaskie). Osiagnięcie to stanowi zapowiedź nowej ery tranzystorów o budowie przestrzennej, których wykorzystanie bedzie konieczne w przyszłej dekadzie dla utrzymania wyznaczonego przez prawo Moore'a tempa rozwoju mikroelektroniki.

Trójbramkowy tranzystor Intela ma nowatorską, trojwymiarową strukturę, przypominającą stojącą płytkę o pionowych ściankach - sygnały elektryczne mogą płynąć zarówno po wierzchu tranzystora, jak i po obu ściankach bocznych. W ten sposób sygnały mają trzykrotnie wiecej miejsca - to tak, jakby wąską drogę zastąpić trzypasmową autostradą, jednak bez zajmowania dodatkowej przestrzeni. Oprócz wiekszej sprawności energetycznej przy nanometrowych rozmiarach, trójbramkowe tranzystory pracują szybciej, przewodząc przy tym o 20 procent wiekszy prąd od tranzystorów planarnych o porównywalnej wielkości bramki.

Reklama

Trójbramkowa struktura stanowi obiecujący kierunek rozwoju architektury tranzystorów terahercowych, zapowiedzianej przez Intela w grudniu 2001 roku. Potrójna bramka zbudowana jest na ultracienkiej warstwie całkowicie zubożonego krzemu, zapewniającej obniżenie uplywności elektrycznej. Umożliwia to uzyskanie bardzo krótkich czasów przełaczania, jednocześnie radykalnie redukując pobór mocy. Tranzystor wyposażony jest rownież w odznaczającą się mniejszą opornością wyniesioną strukturę źrodła i drenu, pozwalającą obnizyć moc sygnałów sterujacych. Projekt umożliwia również wykorzystanie w przyszłości izolatora bramki o małej stałej dielektrycznej, zapewniającego uzyskanie jeszcze mniejszej upływności.

Podstawowe cechy nowych trójbramkowych tranzystorów zostały przedstawione 17 września w czasie międzynarodowego sympozjum International Solid State Device and Materials Conference w Nagoya w Japonii. Opublikowany dokument techniczny Intela omawia wydajność, pobór mocy i upływność nowych tranzystorów w porównaniu do tradycyjnych.

Dowiedz się więcej na temat: tranzystor
Reklama
Reklama
Reklama
Reklama
Reklama
Strona główna INTERIA.PL
Polecamy