Memrystory zdetronizują moduły flash
Powraca temat memrystorów, czyli oporników z pamięcią, będących jednym z czterech podstawowych biernych elementów elektronicznych (poza rezystorem, cewką i kondensatorem). Memrystory mają w przyszłości zastąpić pamięć DRAM i flash.
Memrystory, których istnienie już w 1971 roku przewidział profesor Leon O. Chua, zostały w 2008 roku zademonstrowane przez firmę HP. Skonstruowane z ich wykorzystaniem układy elektroniczne mogą - podobnie jak tego oczekiwano od modułów MRAM - zastąpić w przyszłości zarówno pamięci DRAM, jak i flash. Oczekiwane zalety memrystorowych komórek pamięci to duża szybkość działania (porównywalna z pamięciami DRAM) oraz rozmiary mniejsze od współczesnych, tranzystorowych modułów pamięci.
Stan Williams z firmy HP i jego współpracownicy piszą w artykułach dla magazynów "Nature" i "Proceedings of the National Academy of Science" (PNAS) o nowych polach zastosowania technologii memrystorowej. W wywiadzie dla dziennika "The New York Times" Williams po raz pierwszy podaje nawet konkretny harmonogram prac. Ekspert twierdzi, że już za trzy lata uda się produkować memrystorowe układy pamięci, które będą się charakteryzować gęstością upakowania danych rzędu 20 gigabajtów na centymetr kwadratowy, a więc około dwukrotnie większą od osiąganej przez sprzedawane wówczas pamięci NAND flash.
W przypadku najnowszych modułów NAND flash typu MLC (wytwarzanych w technologii 25 nm przez Intela i Microna) współczynnik ten wynosi niespełna 5 GB na centymetr kwadratowy (8 GB na 1,67 cm2).
Układy memrystorowe mają służyć nie tylko jako typowe pamięci, lecz także jako moduły logiczne, o czym wspomina publikacja w "Nature". Natomiast artykuł w PNAS mówi o wielowarstwowych układach memrystorowych. Również wiele innych firm i instytutów pracuje nad nowatorskimi chipami pamięci, takimi jak choćby ReRAM. Jednak w kolejce do zastąpienia modułów flash stoją także pamięci zmiennofazowe, Racetrack oraz CMOx.
